FDMS86350ET80
Fairchild/ON Semiconductor
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Anschlüsse, Verbindungen
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Fairchild/ON Semiconductor FDMS86350ET80
| Artikelnummer: | FDMS86350ET80 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
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| 500+ | $2.447 |
| 1000+ | $2.0637 |
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Fairchild/ON Semiconductor FDMS86350ET80 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDMS86350ET80.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Prüfung 8030pF @ 40V Spannung - Durchschlag Power56 VGS (th) (Max) @ Id 2.4 mOhm @ 25A, 10V Vgs (Max) 8V, 10V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Serie PowerTrench® RoHS Status Digi-Reel® Rds On (Max) @ Id, Vgs 25A (Ta), 198A (Tc) Polarisation 8-PowerTDFN Andere Namen FDMS86350ET80DKR Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) 1 (Unlimited) Produkteigenschaften Eigenschaften Hersteller Standard Vorlaufzeit 6 Weeks Hersteller-Teilenummer FDMS86350ET80 Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 155nC @ 10V IGBT-Typ ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5V @ 250µA FET-Merkmal N-Channel Expanded Beschreibung N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56 Drain-Source-Spannung (Vdss) - Beschreibung MOSFET N-CH 80V 80A POWER56 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80V Kapazitätsverhältnis 3.3W (Ta), 187W (Tc) FDMS86350ET80 Einzelheiten PDF [English] FDMS86350ET80 PDF - EN.pdf -
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